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IPB054N06N3 G /MOSFET N-Ch 60V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3
IPB054N06N3 G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:80 A

Rds On-漏源导通电阻:4.4 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:82 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:115 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.4 mm

长度:10 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.25 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:47 S

下降时间:9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:68 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:32 ns

典型接通延迟时间:24 ns

零件号别名:IPB054N06N3GATMA1 IPB54N6N3GXT SP000446782

单位重量:2 g

供应商IPB054N06N3 G
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深圳市百视威讯电子科技有限公司IPB054N06N3 G华强广场C座18J0755-27381274
18098996457
董先生skype:微信15013613919Email:15013613919@163.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IPB054N06N3 G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市威雅利发展有限公司IPB054N06N3 G华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120
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现代芯城(深圳)科技有限公司IPB054N06N3 Gwww.nowchip.com0755-27381274
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司IPB054N06N3 G深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼0755-83663056
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深圳市坤融电子有限公司IPB054N06N3 G航都大厦10I0755-23990975
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深圳市斌腾达科技有限公司IPB054N06N3 G深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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深圳瀚顺芯电子科技有限公司IPB054N06N3 G深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室18927111567Email:1585681270@qq.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司IPB054N06N3 G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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深圳和润天下电子科技有限公司IPB054N06N3 G深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
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深圳市宇浩扬科技有限公司IPB054N06N3 G深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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集好芯城IPB054N06N3 G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳市拓亿芯电子有限公司IPB054N06N3 G深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
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13352985419,19076157484
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IPB054N06N3 G连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 58?A 漏源导通电阻:5.7mΩ @ 80A, 10V 最大功率耗散(Ta=25°C):115W(Tc) 类型:N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO689.59 Kbytes共10页IPB054N06N3 G的PDF下载地址
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IPB054N06N3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 80A D2PAK-2 OptiMOS 31:¥10.9836
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500+:¥3.3
1000+:¥3.24