IPB054N06N3 G的供应商，IPB054N06N3 G规格参数，IPB054N06N3 G的PDF资料

IPB054N06N3 G /MOSFET N-Ch 60V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB054N06N3 G的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-263-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:80 A

Rds On-漏源导通电阻:4.4 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:82 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:115 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:4.4 mm

长度:10 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:9.25 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:47 S

下降时间:9 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:68 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:32 ns

典型接通延迟时间:24 ns

零件号别名:IPB054N06N3GATMA1 IPB54N6N3GXT SP000446782

单位重量:2 g

IPB054N06N3 G

IPB054N06N3 G的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	IPB054N06N3 G	华强广场C座18J	0755-27381274 18098996457	董先生	询价
深圳市芯幂科技有限公司	IPB054N06N3 G	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市威雅利发展有限公司	IPB054N06N3 G	华强北路1019号华强广场A16楼	18124047120 18124047120	韩雪	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	IPB054N06N3 G	深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室	0755-83616256 / 83210909 13725570869	朱小姐	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IPB054N06N3 G	深圳市福田区中航路都会轩2406	0755-82573210 18124040553	杨丹妮	询价
深圳和润天下电子科技有限公司	IPB054N06N3 G	深港合作区前湾一路1号A栋201室	13378422395，19129491930	蔡经理，张小姐	询价
深圳市坤融电子有限公司	IPB054N06N3 G	航都大厦10I	0755-23990975 13926529829，17318082080	肖瑶，树平	询价
集好芯城	IPB054N06N3 G	深圳市福田区航都大厦25F	0755-82564006 13310061703	傅小姐	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	IPB054N06N3 G	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市辉华拓展电子有限公司	IPB054N06N3 G	深圳市福田区航都大厦25F	0755-82790891 18126117392	陈晓玲	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	IPB054N06N3 G	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
集好芯城	IPB054N06N3 G	深圳市福田区航都大厦25F	4008626627 13360071553	陈泽辉	询价
深圳市仓实科技有限公司	IPB054N06N3 G	深圳市福田区福田街道	17080955875	李先生	询价
深圳诚思涵科技有限公司	IPB054N06N3 G	深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室	0755-23947236/83015506 15302723671/15820783671	曾小姐	询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司	IPB054N06N3 G	深圳市福田区福田街道岗厦社区彩田路3069号星河世纪A栋2003F19	19854773352 19854773352	罗先生	询价
柒号芯城电子商务（深圳）有限公司	IPB054N06N3 G	深圳市福田区华强北路1019号华强广场D座23楼	0755-83663056 18922805453，18929374037，18922803401	连	询价
深圳市辰芯伟业科技有限公司	IPB054N06N3 G	华强北路新华强广场B座27D	0755-83238360 13603072128	陈	询价
深圳市清腾科技有限公司	IPB054N06N3 G	深圳市福田区华强北街道华航社区振兴路156号上步工业区405栋319	0755-83993052 18390902447	刘先生	询价
深圳瀚顺芯电子科技有限公司	IPB054N06N3 G	深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室	18927111567	黄	询价
深圳市凌特半导体科技有限公司	IPB054N06N3 G	广东省深圳市华康大夏2栋210-219室	0755-82714723 13923432237	谢先生	询价

IPB054N06N3 G及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
IPB054N06N3 G	MOSFET N-Ch 60V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3	Infineon Technologies		687.46 Kbytes	共10页		无
IPB054N06N3 G	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 58?A 漏源导通电阻：5.7mΩ @ 80A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：115W(Tc) 类型：N沟道	Infineon(英飞凌)		689.59 Kbytes	共10页		无

IPB054N06N3 G的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Digi-Key 得捷电子	IPB054N06N3 G	Infineon	FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品半导体 MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V	1+:￥12.59 10+:￥11.14 25+:￥10.06 100+:￥8.8 250+:￥7.72 500+:￥6.8401
Mouser 贸泽电子	IPB054N06N3 G	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 60V 80A D2PAK-2 OptiMOS 3	1:¥10.9836 10:¥9.379 100:¥7.2207 500:¥6.3732 1,000:¥5.0285
Mouser 贸泽电子	IPB054N06N3 G	Infineon	FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品半导体 MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V	1+:￥12.59 10+:￥11.14 25+:￥10.06 100+:￥8.8 250+:￥7.72 500+:￥6.84011+:￥9.6901 10+:￥7.77 100+:￥5.97 500+:￥5.28 1000+:￥5.17 2000+:￥4.75 10000+:￥4.62 25000+:￥4.5199 50000+:￥4.55
立创商城	IPB054N06N3 G	Infineon(英飞凌)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 58?A 漏源导通电阻：5.7mΩ @ 80A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：115W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥8.83 200+:￥3.42 500+:￥3.3 1000+:￥3.24

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